DIW085N06
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DIW085N06
MOSFET, TO-247-3L, N, 65V, 85A, 9.1mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 450
Bestand 0
Zollnummer 85412900
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DIW085N06
DIW085N06 Single
Typ Wire-lead
Gehäuse TO-247-3L
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 65 V
Drain Current 25°C ID 85.000 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0091
@ ID 40 A
@ VGS 10 V
Drain Current 100°C ID 60.000 A
On-Resistance 2 RDSon2
@ ID
@ VGS
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 240.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM 340.000 A
Schwellspannung VGSth min 2.0 V
VGSth max 4.0 V
Einschaltverzögerung tD(on) 22 ns
Anstiegszeit tr 61 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 67 ns
Abfallzeit tf 28 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 80.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 31 nC
Single pulse avalanche energy Eas 450.0 mJ
Input Capacitance Ciss 3704 pF
Output Capacitance Coss 231 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 219 pF
Reverse recovery charge Qrr 44 nC

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