DIW065SIC049
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIW065SIC049 650V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 60A, 650V, 49mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW065SIC049

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	60.000 A
Drainstrom 100°C	ID

Drain-Source-Spannung	VDS	650 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0490 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	395.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	135.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	0 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	0.27 mJ
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss
Ausgangskapazität	Coss
Rückwirkungskapazität	Crss
Sperrverzugsladung	Qrr
Avalanche	Nein