DIW040M120
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren) Leistungsschalter für Umrichter
Artikelbezeichnung	DIW040M120 IGBT, TO-247-3L, N-Fast, 1200 V, 40 A
Mindestbestellmenge	450
Bestand	10
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW040M120

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Kollektor-Emitter Spannung S	VCES	1200 V
DC Kollektor Strom 100°C	IC100	40 A
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	160 A

Polarität	pol	N-Medium Fast
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	330.000 W
	@ TLoc
	Location
Gate-Emitter Schwellspannung	VGEthmin	4.5 V
	VGEth	5.7 V
	VGEthmax	7.0 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	VCEsat100	1.74 V
	@ IC100	40 A
	@ VGE	15 V
Anstiegszeit	tr	69 ns
Abfallzeit	tf	337 ns