DIW040F135
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)
Leistungsschalter für Umrichter
Artikelbezeichnung DIW040F135
IGBT, TO-247-3L, N-Fast, 1350 V, 40 A
Mindestbestellmenge 450
Bestand 0
Zollnummer 85412900
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DIW040F135
DIW040F135 Single
Typ Wire-lead
Gehäuse TO-247-3L
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
Kollektor-Emitter Spannung S VCES 1350 V
DC Kollektor Strom 100°C IC100 40 A
Kollektor-Spitzenstrom ICM 160 A
Polarität pol N-Fast
Sperrschicht Temperatur Tjmax 175 °C
Verlustleistung Ptot 510.000 W
@ TLoc
Location
Gate-Emitter Schwellspannung VGEthmin 4.8 V
VGEth 5.8 V
VGEthmax 6.8 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCEsat100 2.10 V
@ IC100 40 A
@ VGE 15 V
Anstiegszeit tr 45 ns
Abfallzeit tf 385 ns

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