DIW012N65
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIW012N65 MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 12A, 0.19Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW012N65

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V

Drainstrom 25°C	ID	12.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.1900 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	7.500 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	125.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	60.000 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	60 ns
Anstiegszeit	tr	22 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	60 ns
Abfallzeit	tf	28 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	45.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	21 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	988.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1479 pF
Ausgangskapazität	Coss	91 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	10 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	5 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi