DIT195N08
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIT195N08 MOSFET, TO-220AB, N, 85V, 195A, 3.5mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	283
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIT195N08

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	85 V

Drainstrom 25°C	ID	195.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0035 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	140.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	300.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	850.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	62 ns
Anstiegszeit	tr	66 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	92 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	296.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	78 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	2880.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	16880 pF
Ausgangskapazität	Coss	863 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	730 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	210 nC