DIT120N08
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIT120N08 MOSFET, TO-220AB, N, 80V, 120A, 4.9mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	2.000
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIT120N08

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	80 V
Drain Current 25°C	ID	120.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0049 Ω
	@ ID	40 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	84.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	220.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	450.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	26 ns
Anstiegszeit	tr	24 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	91 ns
Abfallzeit	tf	39 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	163.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	64 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	800.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	6500 pF
Output Capacitance	Coss	520 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	460 pF
Reverse recovery charge	Qrr	66 nC