DIT072N08-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIT072N08-Q MOSFET, TO-220AB, N, 80V, 72A, 9mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIT072N08-Q

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-220AB
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	80 V
Drain Current 25°C	ID	72.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0090 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	45.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0110 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	62.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	280.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	21 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	29 ns
Abfallzeit	tf	45 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	35.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	8 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	25.6 mJ
Input Capacitance	Ciss	1812 pF
Output Capacitance	Coss	903 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	53 pF
Reverse recovery charge	Qrr	58 nC