DIT050N06
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DIT050N06
MOSFET, TO-220AB, N, 60V, 50A, 14mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge 1.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DIT050N06
DIT050N06 Single
Typ Wire-lead
Gehäuse TO-220AB
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 60 V
Drain Current 25°C ID 50.000 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0140
@ ID 20 A
@ VGS 10 V
Drain Current 100°C ID 35.000 A
On-Resistance 2 RDSon2
@ ID
@ VGS
Sperrschicht Temperatur Tjmax 175 °C
Verlustleistung Ptot 85.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM 90.000 A
Schwellspannung VGSth min 1.4 V
VGSth max 2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 7 ns
Anstiegszeit tr 5 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 28 ns
Abfallzeit tf 6 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 50.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 15 nC
Single pulse avalanche energy Eas 245.0 mJ
Input Capacitance Ciss 2050 pF
Output Capacitance Coss 158 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 120 pF
Reverse recovery charge Qrr 40 nC

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