DIT005N60
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIT005N60 MOSFET, TO-220AB, N, 600V, 5A, 2.5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIT005N60

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drain Current 25°C	ID	5.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	2.5000 Ω
	@ ID	2.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	100.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	16.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	22 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	23 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	13.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	415 pF
Output Capacitance	Coss	58 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	1 pF
Reverse recovery charge	Qrr	1 nC