DIJ2A3N65
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIJ2A3N65 MOSFET, ITO-220AB, N, 650V, 2.3A, 2.6Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIJ2A3N65

Typ	Wire-lead
Gehäuse	ITO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V
Drain Current 25°C	ID	2.300 A
On-Resistance 1	RDSon1	2.6000 Ω
	@ ID	2.300 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	1.500 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	30.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	16.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	36 ns
Abfallzeit	tf	22 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	13.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	173.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	560 pF
Output Capacitance	Coss	55 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	5 pF
Reverse recovery charge	Qrr	5 nC