DIJ128N10
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIJ128N10 MOSFET, ITO-220AB, N, 100V, 128A, 4.5mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIJ128N10

Typ	Wire-lead
Gehäuse	ITO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	125.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Drainstrom 100°C	ID	88.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00500 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	150.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	500.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	24 ns
Anstiegszeit	tr	55 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	49.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	15 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	306.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2796 pF
Ausgangskapazität	Coss	1234 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	28 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	94.0 nC