DIJ015M065
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren) Leistungsschalter für Umrichter
Artikelbezeichnung	DIJ015M065 IGBT, TO-247-3L, N-reSonant, 650 V, 15 A
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIJ015M065

Typ	Wire-lead
Gehäuse	ITO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Kollektor-Emitter Spannung S	VCES	650 V
DC Kollektor Strom 100°C	IC100	15 A
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	60 A

Polarität	pol	N (reSonant)
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	39.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Gate-Emitter Schwellspannung	VGEthmin	5.4 V
	VGEth	5.6 V
	VGEthmax	5.9 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	VCEsat100	1.60 V
	@ IC100	15 A
	@ VGE	15 V
Anstiegszeit	tr	17 ns
Abfallzeit	tf	104 ns