DIH005P03-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DIH005P03-AQ
MOSFET, SOT-23, P, -30V, -5.2A , 0.08Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge 4.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant
REACH not declarable
Bleifrei Ja
Halogenfrei Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DIH005P03-AQ
DIH005P03-AQ Single
Typ SMD
Gehäuse SOT-223
Qualification AEC-Q101
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 3
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -30 V
Drainstrom 25°C ID -5.200 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.0800
@ ID -1.500 A
@ VGS -10 V
Drainstrom 100°C ID
On-Widerstand 2 RDSon2
@ ID
@ VGS
Sperrschicht Temperatur Tjmin
Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 8.900 W
@ TLoc
Location
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM -26.000 A
Schwellspannung VGSth min
VGSth max 2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on)
Anstiegszeit tr
Ausschaltverzögerung tD(off)
Abfallzeit tf
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas
Eingangskapazität Ciss
Ausgangskapazität Coss
Rückwirkungskapazität Crss
Sperrverzugsladung Qrr

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