DIH005N06-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIH005N06-AQ MOSFET, SOT-23, N, 60V, 5.5A , 0.13Ω, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DIH005N06-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-223
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	8.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.10000 Ω
	@ ID	2.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	5.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.11000 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	10.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	21.000 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	2 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	7 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	9.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	4.3 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1.6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	6.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	366 pF
Ausgangskapazität	Coss	24 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	18 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	5.7 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	13.0 K/W
	Location	Contact
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	70.0 K/W
	Location	Ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	100 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs	3 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.3 Ω