DIF170SIC049-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIF170SIC049-AQ 1700V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1700V, 49mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIF170SIC049-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	67.000 A
Drainstrom 100°C	ID	47.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.04900 Ω
	@ ID	40.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	357.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	150.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.9 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	21 ns
Abfallzeit	tf	19 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	1.80 mJ
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)	43 ns
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	179.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	3046 pF
Ausgangskapazität	Coss	107 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	12 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	230 nC
Avalanche	Nein