DIF170SIC049-AQ
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIF170SIC049-AQ 1700V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1700V, 49mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIF170SIC049-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	67.000 A
Drain Current 100°C	ID	47.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.04900 Ω
	@ ID	40.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	357.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	150.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.9 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	21 ns
Abfallzeit	tf	19 ns
Total Switching Energy	Etotal	1.80 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)	43 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	179.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	3046 pF
Output Capacitance	Coss	107 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	12 pF
Reverse recovery charge	Qrr	230 nC
Avalanche	Avalanche	Nein