DIF120SIC035-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIF120SIC035-AQ 1200V SiC MOSFET Made in PH SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 72A, 1200V, 35mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DIF120SIC035-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	n/a

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	72.000 A
Drainstrom 100°C	ID	51.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.03500 Ω
	@ ID	40.000 A
	@ VGS	20 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	268.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	160.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.8 V
	VGSth max	3.0 V
Anstiegszeit	tr	15 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	0.48 mJ
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	40 ns
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	106.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	20 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	2250 pF
Ausgangskapazität	Coss	116 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	7 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	117.0 nC
Avalanche	Nein