DIF120SIC028-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIF120SIC028-AQ 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 100A, 1200V, 28mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIF120SIC028-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	100.000 A
Drainstrom 100°C	ID	85.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0280 Ω
	@ ID	60.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	517.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	300.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	11 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	1.15 mJ
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)	49 ns
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	217.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	4500 pF
Ausgangskapazität	Coss	180 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	16 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	500 nC
Avalanche	Nein