DIF120SIC028-AQ
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIF120SIC028-AQ 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 100A, 1200V, 28mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIF120SIC028-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	100.000 A
Drain Current 100°C	ID	85.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.0280 Ω
	@ ID	60.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	517.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	300.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	11 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Switching Energy	Etotal	1.15 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)	49 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	217.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	4500 pF
Output Capacitance	Coss	180 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	16 pF
Reverse recovery charge	Qrr	500 nC
Avalanche	Avalanche	Nein