DI7A6N04SQ2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI7A6N04SQ2-AQ MOSFET, SO-8, N+N, 40V, 7.6A, 28mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI7A6N04SQ2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	7.600 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0280 Ω
	@ ID	7 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0320 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	3.100 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	50.000 A
Schwellspannung	VGSth min	0.8 V
	VGSth max	1.6 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	43 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	35 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	18.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	870 pF
Ausgangskapazität	Coss	100 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	81 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	25 nC