DI6A7P02SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI6A7P02SQ MOSFET, SO-8, P, 20V, 6.7A, 40mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI6A7P02SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drain Current 25°C	ID	6.700 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0400 Ω
	@ ID	3.200 A
	@ VGS	5 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0600 Ω
	@ ID	-2.700 A
	@ VGS	-2.7 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	27.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-0.6 V
	VGSth max	0.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	32 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	100 ns
Abfallzeit	tf	65 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	8.5 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	1500 pF
Output Capacitance	Coss	730 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	340 pF
Reverse recovery charge	Qrr	71 nC