DI5A7N65D1K-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI5A7N65D1K-AQ Gate Protected MOSFET, DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI5A7N65D1K-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V
Drain Current 25°C	ID	5.700 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.4300 Ω
	@ ID	4 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	3.600 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	36.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	25.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	43 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	43 ns
Abfallzeit	tf	50 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	18.4 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	7 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	174.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	722 pF
Output Capacitance	Coss	24 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	6 pF
Reverse recovery charge	Qrr	2 nC