DI5A0N60D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI5A0N60D1 MOSFET, DPAK, N, 600V, 5A, 0.88Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI5A0N60D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drainstrom 25°C	ID	5.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.8800 Ω
	@ ID	2.500 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	3.200 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	45.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	12.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	16 ns
Anstiegszeit	tr	15 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	63 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	10.6 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	174.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	307 pF
Ausgangskapazität	Coss	26 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	6 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	1 nC