DI4A5C06SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI4A5C06SQ Complementary MOSFET MOSFET, SO-8, N+P, 60V, 4.5A, 55mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI4A5C06SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drain Current 25°C	ID	4.500 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0550 Ω
	@ ID	4.500 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0750 Ω
	@ ID	4.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.600 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM
Schwellspannung	VGSth min
	VGSth max
Einschaltverzögerung	tD(on)	0 ns
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	0 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	7.7 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	0.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss
Output Capacitance	Coss
Reverse Transfer Capacitance	Crss
Reverse recovery charge	Qrr	4 nC