DI465N10LN
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI465N10LN MOSFET, TOLL, N, 100V, 465A, 1.5mOhm, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI465N10LN

Typ	SMD
Gehäuse	LFPAK8X8
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	465.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00150 Ω
	@ ID	25.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	417.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1860.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	81 ns
Anstiegszeit	tr	105 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	171 ns
Abfallzeit	tf	118 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	178.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	44 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	1500.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	11285 pF
Ausgangskapazität	Coss	3363 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	208 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	791.0 nC