DI3A5P06PW-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI3A5P06PW-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -60V, -3.6A, 106mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI3A5P06PW-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drainstrom 25°C	ID	-3.500 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.10600 Ω
	@ ID	-2.500 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.13800 Ω
	@ ID	-2.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.600 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-20.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	15 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	33 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	18.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	978 pF
Ausgangskapazität	Coss	51 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	39 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	40.0 nC