DI3A5C03SQK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI3A5C03SQK Gate Protected Complementary MOSFET MOSFET, SO-8, N+P, 30V, 3.5A, 50mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI3A5C03SQK

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	3.500 A
On-Widerstand 1	RDSon1	75.0000 Ω
	@ ID	3.500 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	14.000 A
Schwellspannung	VGSth min
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr	12 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf	21 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss
Ausgangskapazität	Coss
Rückwirkungskapazität	Crss
Sperrverzugsladung	Qrr