DI370N10TL-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI370N10TL-Q MOSFET, TOLL, N, 100V, 370A, 1.68mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI370N10TL-Q

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	370.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0017 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	262.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	468.800 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1480.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	87 ns
Anstiegszeit	tr	98 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	87 ns
Abfallzeit	tf	98 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	215.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	73 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	1250.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	13200 pF
Output Capacitance	Coss	2315 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	48 pF
Reverse recovery charge	Qrr	235 nC