DI370N10TL-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI370N10TL-AQ MOSFET, TOLL, N, 100V, 375A, 1.4mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI370N10TL-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	375.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00140 Ω
	@ ID	80.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	265.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	468.800 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1502.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	21 ns
Anstiegszeit	tr	31 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	57 ns
Abfallzeit	tf	33 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	130.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	27 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	821.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3471 pF
Ausgangskapazität	Coss	3226 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	105 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	162.0 nC