DI320N04TL
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI320N04TL MOSFET, TOLL, N, 40V, 320A, 1.2mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI320N04TL

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	320.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0012 Ω
	@ ID	50 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	194.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	250.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.3 V
	VGSth max	4.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	25 ns
Anstiegszeit	tr	33 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	95 ns
Abfallzeit	tf	75 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	122.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	27 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	1225.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	8150 pF
Ausgangskapazität	Coss	3030 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	57 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	300 nC