DI318N06PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI318N06PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 318A, 1.6mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI318N06PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drain Current 25°C	ID	318.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0016 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	200.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	280.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1272.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	0 ns
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	0 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	98.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas	1800.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	5478 pF
Output Capacitance	Coss	2012 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	178 pF
Reverse recovery charge	Qrr	80 nC