DI315N10TL
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI315N10TL MOSFET, TOLL, N, 100V, 315A, 1.4 mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI315N10TL

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	315.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00140 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	222.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	277.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1260.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	41 ns
Anstiegszeit	tr	69 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	157 ns
Abfallzeit	tf	92 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	217.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	57 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	13360 pF
Ausgangskapazität	Coss	5113 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	122 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	374.0 nC