DI315N10TL-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI315N10TL-AQ MOSFET, TOLL, N, 100V, 315A, 1.4 mΩ, 175°C , AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI315N10TL-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	315.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.00140 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	222.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	277.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1260.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	41 ns
Anstiegszeit	tr	69 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	157 ns
Abfallzeit	tf	92 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	217.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	57 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	13360 pF
Output Capacitance	Coss	5113 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	122 pF
Reverse recovery charge	Qrr	374.0 nC