DI300N10BTL-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI300N10BTL-AQ MOSFET, TOLL, N, 100V, 351A, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	2.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI300N10BTL-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	351.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00160 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	248.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	333.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1400.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.4 V
	VGSth max	3.6 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	56 ns
Anstiegszeit	tr	80 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	34 ns
Abfallzeit	tf	17 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	150.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	38 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	1509.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	9734 pF
Ausgangskapazität	Coss	3165 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	37 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	335.0 nC