DI300N08TL-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI300N08TL-AQ MOSFET, TOLL, N, 80V, 300A, 1.2mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI300N08TL-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	80 V

Drainstrom 25°C	ID	300.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00120 Ω
	@ ID	100.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	1200.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00170 Ω
	@ ID	100.000 A
	@ VGS	6 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	214.200 W
	@ TLoc	175 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	3.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	93 ns
Anstiegszeit	tr	145 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	98 ns
Abfallzeit	tf	32 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	34.3 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	92 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	3142 pF
Ausgangskapazität	Coss
Rückwirkungskapazität	Crss	441 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	353.0 nC