DI2A8N03PWK2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI2A8N03PWK2-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI2A8N03PWK2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2-Dual
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	2.800 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0720 Ω
	@ ID	2 A
	@ VGS	5 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.1020 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	12.000 A
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	1138 ns
Anstiegszeit	tr	68 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	892 ns
Abfallzeit	tf	99 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	6.8 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	6 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	387 pF
Output Capacitance	Coss	37 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	10 pF
Reverse recovery charge	Qrr	3 nC