DI280N10TL-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI280N10TL-Q MOSFET, TOLL, N, 100V, 280A, 2mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI280N10TL-Q

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	280.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0020 Ω
	@ ID	50 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	194.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	425.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1200.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.3 V
	VGSth max	4.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	25 ns
Anstiegszeit	tr	33 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	95 ns
Abfallzeit	tf	75 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	122.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	27 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	1225.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	8150 pF
Output Capacitance	Coss	3030 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	57 pF
Reverse recovery charge	Qrr	300 nC