DI255N04PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI255N04PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 255A, 1.1mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI255N04PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	255.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0000 Ω
	@ ID
	@ VGS	1 V
Drain Current 100°C	ID	161.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0011 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	114.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1020.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	3.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	0 ns
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	0 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	88.7 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas	672.8 mJ
Input Capacitance	Ciss	5280 pF
Output Capacitance	Coss	1453 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	82 pF
Reverse recovery charge	Qrr	89 nC