DI212N14TL-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI212N14TL-AQ
MOSFET, TOLL, N, 140V, 212A, AEC-Q101
Mindestbestellmenge 2.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption
REACH declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Nein

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI212N14TL-AQ
DI212N14TL-AQ Single
Typ SMD
Gehäuse HSOF-8/TOLL
Qualification AEC-Q101
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 1
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 140 V
Drainstrom 25°C ID 212.000 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.0035
@ ID 50.000 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 149.000 A
On-Widerstand 2 RDSon2
@ ID
@ VGS
Sperrschicht Temperatur Tjmin
Tjmax 175 °C
Verlustleistung Ptot 277.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 848.000 A
Schwellspannung VGSth min 2.0 V
VGSth max 4.0 V
Einschaltverzögerung tD(on)
Anstiegszeit tr
Ausschaltverzögerung tD(off)
Abfallzeit tf
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung Qgd 57 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas
Eingangskapazität Ciss
Ausgangskapazität Coss
Rückwirkungskapazität Crss
Sperrverzugsladung Qrr

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