DI170N04D2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI170N04D2-AQ MOSFET, D2PAK, N, 40V, 170A, 1.5mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI170N04D2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	170.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0015 Ω
	@ ID	90 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	115.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	89.200 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	720.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	46 ns
Anstiegszeit	tr	140 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	57 ns
Abfallzeit	tf	40 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	162.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	43 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	395.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	8325 pF
Output Capacitance	Coss	2958 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	245 pF
Reverse recovery charge	Qrr	63 nC