DI170N03PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI170N03PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 30V, 170A, 1.2mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI170N03PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	170.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0012 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0015 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	135.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	680.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	7 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	48 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	90.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	13 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	1350.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	5300 pF
Output Capacitance	Coss	1800 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	100 pF
Reverse recovery charge	Qrr	110 nC