DI160N04PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI160N04PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 160A, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI160N04PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	160.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	113.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0018 Ω
	@ ID	50.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	83.300 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	640.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss
Ausgangskapazität	Coss
Rückwirkungskapazität	Crss
Sperrverzugsladung	Qrr