DI150N04PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI150N04PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 150A, 1.4mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI150N04PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drain Current 25°C	ID	150.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0014 Ω
	@ ID	75 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	130.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	125.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	400.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	6 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	37 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	61.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	14 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	1620.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	3950 pF
Output Capacitance	Coss	2180 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	98 pF
Reverse recovery charge	Qrr	110 nC