DI145N04PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI145N04PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 145A, 1.5mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI145N04PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	145.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0015 Ω
	@ ID	90 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	106.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	62.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	600.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	49 ns
Anstiegszeit	tr	107 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	36 ns
Abfallzeit	tf	33 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	115.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	35 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	518.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	7000 pF
Ausgangskapazität	Coss	3070 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	220 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	89 nC