DI126N03PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI126N03PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 30V, 126A, 1.9mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI126N03PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	126.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0019 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	79.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0029 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	52.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	500.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	0 ns
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	0 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	0.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	0 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	0.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	0 pF
Output Capacitance	Coss	0 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	0 pF
Reverse recovery charge	Qrr	0 nC