DI120SIC050TL
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DI120SIC050TL SiC MOSFET, TOLL, N, 58A, 1200V, 50mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI120SIC050TL

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	58.000 A
Drain Current 100°C	ID	41.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.05000 Ω
	@ ID	40.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	200.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	126.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	30 ns
Abfallzeit	tf	11 ns
Total Switching Energy	Etotal	0.78 mJ
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	22 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	33 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	117.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	27 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	2975 pF
Output Capacitance	Coss	119 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	12 pF
Reverse recovery charge	Qrr	540.0 nC
Avalanche	Avalanche	Nein