DI120SIC040TL
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI120SIC040TL SiC MOSFET, TOLL, N, 55AA, 1200V, 40mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI120SIC040TL

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

Polarität	pol	N
Drainstrom 25°C	ID	55.000 A
Drainstrom 100°C	ID	39.000 A

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Widerstand 1	RDSon1	0.04000 Ω
	@ ID	40.000 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	176.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Drain-Spitzenstrom	IDM	198.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	15 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	0.29 mJ
ESD Schutz	ESD protected	Nein
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	63.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	21 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	2338 pF
Ausgangskapazität	Coss	96 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	4 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	217.0 nC
Avalanche	Nein