DI110N10PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI110N10PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 110A
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI110N10PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	110.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Drain Current 100°C	ID	0.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0060 Ω
	@ ID	30.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	113.600 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	380.000 A
Schwellspannung	VGSth min
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss
Output Capacitance	Coss
Reverse Transfer Capacitance	Crss
Reverse recovery charge	Qrr