DI110N06D2-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI110N06D2-Q MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 3.2mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI110N06D2-Q

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V
Drain Current 25°C	ID	110.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0032 Ω
	@ ID	100 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	70.000 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	62.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	480.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	39 ns
Anstiegszeit	tr	69 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	27 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	75.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	22 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	100.3 mJ
Input Capacitance	Ciss	4597 pF
Output Capacitance	Coss	2133 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	110 pF
Reverse recovery charge	Qrr	40 nC