DI110N03PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI110N03PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 30V, 110A, 1.8mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI110N03PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	110.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0018 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	70.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0025 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	35.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	420.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	43 ns
Anstiegszeit	tr	71 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	42 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	163.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	37 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	151.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	7462 pF
Ausgangskapazität	Coss	886 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	733 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	15 nC