DI110N03PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI110N03PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 30V, 110A, 1.8mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI110N03PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	110.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0018 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	70.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0025 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	35.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	420.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	43 ns
Anstiegszeit	tr	71 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	42 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	163.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	37 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	151.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	7462 pF
Output Capacitance	Coss	886 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	733 pF
Reverse recovery charge	Qrr	15 nC