DI100P06D1K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100P06D1K Gate Protected MOSFET, DPAK, P, -60V, -100A, 6.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI100P06D1K

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	-100.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00650 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	-63.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	160.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-400.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1.5 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	46 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	73 ns
Abfallzeit	tf	51 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	70.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	11 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	5608 pF
Ausgangskapazität	Coss	931 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	42 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0.0 nC